jueves, 15 de marzo de 2012

Potenciometría: Artículo 3




En éste artículo se muestra un nuevo microsensor basado en un EIA (electrolito semiconductor) poroso. El sensor de silicio poroso se preparó usando técnicas estándar de procesamiento de semiconductores. Una capa macroporosa bien definida se formó en el silicio por ataque electroquímico y un “sándwich” de SiO2/ Si3N4 se depositó como aislante y sensible al pH de la capa.  La ampliación del área del sensor activo (superficie) , debido a la estructura porosa,  aumenta la capacidad de  medida.



Referencia:

Electrochimica Acta
Vol. 42, Nos 2&22, pp. 3185-3193

" Miniaturization of potentiometric sensors using porous silicon microtechnology"



M. J. Schöning, F. Ronkel, M. Crott, M. Thust, J. W. Schultze, P. Kordosa and H. Lüth
Institut fur Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jiilich GmbH, D-52425 Jiilich, Germany
AGEF e.V.-Institut an der Heinrich-Heine-Universitlt, Universitltsstr. 1, D-40225 Dusseldorf, Germany

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